金融界 2024 年 10 月 30 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，长鑫存储技能有限公司请求一项名为“一种半导体结构及其制造的进程”的专利，揭露号 CN 118829193 A，请求日期为 2023 年 4 月。
专利摘要显现，本揭露施行例触及半导体范畴，供给一种半导体结构及其制造的进程，其间，半导体结构包含：具有相对的第一面和第二面的第一晶圆，第一晶圆包含第一栅极、第一源极和第一漏极，第一栅极的顶面与第一面齐平，第一栅极的顶面高于第一源极的顶面，第一漏极坐落第一栅极接近第二面的一侧；具有相对的第三面和第四面的第二晶圆，第四面与第一面正对且相键合，第二晶圆包含第二栅极、第二源极和第二漏极，第二源极更接近第三面，第二栅极的顶面低于第二源极的底面，第二漏极与第一栅极电衔接。可以给我们供给一种新的 2T0C 的半导体结构。
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